એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.0 \,eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન કરી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે ......... $nm$ છે.

ચોક્કસ ધાતુમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરી શકે તેવી વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. $100 \ nm$ તરંગલંબાઈના વિકિરણને કારણે ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા મેળવેલી મહત્તમ ગતિઊર્જા .............. $eV$ હશે.

ફોટોઈમિશન થાય છે તેમ ધારીને,જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ ચાર ગણી કરવામાં આવે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગમાં થતો ફેરફાર કેટલો હશે?

જ્યારે $n$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર પડે છે ત્યારે સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v$ છે. જો આપાત આવૃત્તિ વધારીને $3n$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

$5000 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ અને $4.68 \ mW/cm^2$ તીવ્રતા ધરાવતો પ્રકાશ એક પ્રકાશ-સંવેદી સપાટી પર આપાત થાય છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી માત્ર $5\%$ ફોટોન ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો એકમ સમયમાં એકમ ક્ષેત્રફળ દીઠ ઉત્સર્જિત થતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા કેટલી હશે?

જ્યારે ધાતુની સપાટી પર આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda_1$ થી ઘટાડીને $\lambda_2$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય શોધો. [$h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશનો વેગ]