સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.27 eV$ છે. $600 nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશથી ઉત્તેજિત સીઝિયમ કેથોડમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનું કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલું હશે?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગ અંગે નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો:
$(I)$ ધાતુ પર પ્રકાશ પડતાની સાથે જ ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે.
$(II)$ એક લઘુત્તમ આવૃત્તિ હોય છે જેની નીચે કોઈ ફોટોકરંટ જોવા મળતો નથી.
$(III)$ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ એ પ્રકાશની આવૃત્તિના પ્રમાણમાં હોય છે.
$(IV)$ ફોટોકરંટ પ્રકાશની તીવ્રતા સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
ઉપરોક્તમાંથી કયા વિધાનો સૂચવે છે કે પ્રકાશ એ ક્વોન્ટા (ફોટોન) નો બનેલો છે જેની ઉર્જા આવૃત્તિના પ્રમાણમાં હોય છે?

$1.07 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $332 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જન કરતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) .............. $V$ છે.

એક ધાતુનું ફોટોઈલેક્ટ્રિક કાર્ય વિધેય $1 \ eV$ છે. તેના પર $\lambda = 3000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે?

$1 \,W$ પાવર ધરાવતા બિંદુવત ઉદગમથી $1 \,m$ અંતરે એક કોબાલ્ટ $(Co)$ પ્લેટ મૂકવામાં આવી છે। ધારો કે પ્લેટનો $r = 1 \,Å$ ત્રિજ્યા ધરાવતો વર્તુળાકાર વિસ્તાર વિકિરણના સંપર્કમાં છે અને તે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે। પ્રકાશની ઉર્જા સમાન રીતે ફેલાયેલી છે તેમ માનવામાં આવે છે અને કોબાલ્ટનું વર્ક ફંક્શન $5 \,eV$ છે। ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરવા માટે ટાર્ગેટને પ્રકાશના સ્ત્રોત સામે કેટલા લઘુત્તમ સમય માટે રાખવો જોઈએ (પરાવર્તનનો વ્યય શૂન્ય ગણતા) ($\,s$ માં)?

એક ધાતુની ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v$ છે. જ્યારે $4v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?