$1.07 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $332 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જન કરતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) .............. $V$ છે.

$V_0 - \nu$ આલેખનો ઢાળ શું છે? તેનું સમીકરણ લખો. વળી,તે દ્રવ્યના પ્રકાર પર આધાર રાખે છે કે નહીં તે જણાવો.

$4.25 \, eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A \, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70 \, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_B = (T_A - 1.50) \, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો:

આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હોય છે?

જો કોઈ ફોટોમેટલનું કાર્ય વિધેય (work function) $6.825 \; eV$ હોય,તો તેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ ............. $\mathring A$ હશે $(c = 3 \times 10^8 \; m/s)$.

ધાતુઓનું કાર્ય વિધેય $Na = 1.92 \, eV, K = 2.15 \, eV, Mo = 4.17 \, eV, Ni = 5.0 \, eV$ આપેલ છે. આ ધાતુઓ પૈકી કઈ ધાતુ $He-Cd$ લેસરમાંથી $3300 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઈના ઉત્સર્જન માટે ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન દર્શાવશે નહીં?