ધાતુ $A$ અને $B$ ના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર $1 : 2$ છે. જો $f$ અને $2f$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ અનુક્રમે $A$ અને $B$ ની સપાટી પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે? ($f$ અને $2f$ બંને આવૃત્તિઓ ધાતુ $A$ અને $B$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા વધારે છે).

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માં,ધાતુની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $(K.E.)$ શેના પર આધાર રાખે છે?

એક ફોટો-એમિસિવ પદાર્થને $\lambda_i$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે જેથી તે $\lambda_c$ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકે તેવા વિકિરણની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ માટેનું સૂત્ર શું છે? ($m$: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$h$: પ્લાન્કનો અચળાંક અને $c$: પ્રકાશની ઝડપ).

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં આપાત ફોટોન સાથે શું થાય છે?

ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના પ્રયોગમાં,આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $2 \times 10^{-7} \,m$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2.5 \,V$ છે. ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ($Hz$ માં) આશરે કેટલી હશે? (ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e=1.6 \times 10^{-19} \,C$,પ્લાન્કનો અચળાંક $h=6.6 \times 10^{-34} \,J-s$)

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ $\frac{hc}{\lambda_0}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ત્યારે જ થશે જો ($\lambda_0$ એ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ છે).