ટંગસ્ટનનું વર્ક ફંક્શન $4.50 \, eV$ છે. જ્યારે $5.50 \, eV$ ફોટોન ઉર્જા ધરાવતો પ્રકાશ ટંગસ્ટનની સપાટી પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઇ ......... $\mathring{A}$ છે.

$\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થવાથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? [$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$m=$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને $c=$ પ્રકાશની ઝડપ]

$h\nu$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન જ્યારે $E_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે $k$ જેટલી મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા કેટલી થશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

દ્રશ્યમાન પ્રકાશમાં તરંગલંબાઈ જાંબલી રંગ માટે આશરે $390\; nm$,પીળા-લીલા રંગ માટે આશરે $550\; nm$ (સરેરાશ તરંગલંબાઈ) અને લાલ રંગ માટે આશરે $760\; nm$ છે.
$(a)$ દ્રશ્યમાન વર્ણપટના $(i)$ જાંબલી છેડે,$(ii)$ સરેરાશ તરંગલંબાઈ (પીળો-લીલો રંગ),અને $(iii)$ લાલ છેડે ફોટોનની ઊર્જા $(eV)$ માં કેટલી હશે? ($h=6.63 \times 10^{-34} \;J s$ અને $1 \;eV = 1.6 \times 10^{-19} \;J$ લો)
$(b)$ કોષ્ટકમાં આપેલા વર્ક ફંક્શન ધરાવતા ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થોમાંથી,$(a)$ ના $(i), (ii)$ અને $(iii)$ ના પરિણામોનો ઉપયોગ કરીને,તમે કયું ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉપકરણ બનાવી શકો જે દ્રશ્યમાન પ્રકાશ સાથે કાર્ય કરે?

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના કિસ્સામાં,કટ-ઓફ આવૃત્તિ $v$ છે. જો $2v$ આવૃત્તિનું વિકિરણ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ શક્ય વેગ કેટલો હશે? ($m=$ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ)

જો કોઈ ધાતુનું કાર્ય વિધેય $\phi$ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v$ હોય,તો નીચેનામાંથી કઈ સ્થિતિમાં ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થશે નહીં?