$\frac{1}{2} \text{ F}$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $I$ એમ્પીયરનો તાત્કાલિક સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) સ્થાપિત કરવા માટે,$\frac{dV}{dt}$ નું મૂલ્ય ....... છે.

$R=6.0\; cm$ ત્રિજ્યા ધરાવતી વર્તુળાકાર પ્લેટોથી બનેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર (આકૃતિ) નું કેપેસિટન્સ $C=100\; pF$ છે. આ કેપેસિટરને $300 \;rad \;s ^{-1}$ ની કોણીય આવૃત્તિ ધરાવતા $230\; V$ ના ac સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે.
$(a)$ વહન પ્રવાહ (conduction current) નું rms મૂલ્ય કેટલું છે?
$(b)$ શું વહન પ્રવાહ એ સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) જેટલો છે?
$(c)$ પ્લેટોની વચ્ચે અક્ષથી $3.0\; cm$ અંતરે આવેલા બિંદુએ $B$ નું કંપવિસ્તાર નક્કી કરો.

$A$ જેટલું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ અને $d$ જેટલું પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $i$ જેટલા અચળ પ્રવાહ વડે ચાર્જ કરવામાં આવે છે. પ્લેટોની વચ્ચે સમાંતર અને સંમિત રીતે દોરેલી $A/2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક સમતલ સપાટીનો વિચાર કરો. આ સપાટીમાંથી પસાર થતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને અવરોધ દ્વારા બેટરી સાથે જોડીને ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જો પરિપથમાં પ્રવાહ $I$ હોય,તો પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં:

જ્યારે કૅપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેના વિસ્તારમાં સ્થાનાંતર પ્રવાહ $i_d$ વહે છે,ત્યારે કૅપેસિટર પરનો વિદ્યુતભાર:

"બદલાતું વિદ્યુતક્ષેત્ર ચુંબકીય ક્ષેત્ર ઉત્પન્ન કરે છે". આ વિધાનનું મહત્વ સમજાવો.