અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનને મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર તરીકે મેળવવા માટે,કઈ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

અર્ધવાહકમાં વહેતા કુલ વિદ્યુતપ્રવાહમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલનો ફાળો અનુક્રમે $\frac{3}{4}$ અને $\frac{1}{4}$ છે. જો આ તાપમાને ઇલેક્ટ્રોનનો ડ્રિફ્ટ વેગ હોલના ડ્રિફ્ટ વેગ કરતા $\frac{5}{2}$ ગણો હોય,તો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતાનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

$P$ પ્રકારનો અર્ધવાહક તૈયાર કરવા માટે $Si$ ના નમૂનામાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. આ અર્ધવાહકમાં $Si$ ના $5 \times 10^7$ પરમાણુદીઠ ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ ઉમેરેલ છે. $Si$ ના નમૂનાની પરમાણુઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ પરમાણુ/m}^3$ છે,તો સિલિકોનના $1 \text{ cm}^3$ ના સમઘનમાં એક્સેપ્ટરના કેટલા પરમાણુ હશે?

નીચે દર્શાવેલ પદાર્થના એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં,ખુલ્લા વર્તુળો અને ભરેલા વર્તુળો અનુક્રમે હોલ અને ઇલેક્ટ્રોન દર્શાવે છે. આ પદાર્થ કયો છે?

સિલિકોન અથવા જર્મેનિયમ માટે તત્વરૂપી ડોપન્ટ્સ સામાન્ય રીતે સમૂહ $XIII$ અથવા સમૂહ $XV$ માંથી શા માટે પસંદ કરવામાં આવે છે?

જર્મેનિયમ સ્ફટિકને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવા માટે ઉમેરવામાં આવતી અશુદ્ધિની સંયોજકતા કેટલી હોય છે?