$CE$ विन्यास में बेस-बायस्ड ट्रांजिस्टर के लिए ट्रांसफर विशेषताएँ [आउटपुट वोल्टेज $(V_o)$ बनाम इनपुट वोल्टेज $(V_i)$] चित्र में दिखाई गई हैं। ट्रांजिस्टर का उपयोग स्विच के रूप में करने के लिए,इसका उपयोग किया जाता है:

एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर में,$10^{-8} \ s$ में $200$ इलेक्ट्रॉन उत्सर्जक (emitter) में प्रवेश करते हैं। यदि $1 \%$ इलेक्ट्रॉन आधार (base) में खो जाते हैं,तो उत्सर्जक में प्रवेश करने वाली धारा और धारा प्रवर्धन गुणांक (current amplification factor) क्रमशः क्या होंगे? $\left[e=1.6 \times 10^{-19} \ C\right]$

एक कॉमन एमिटर एम्पलीफायर को $NPN$ ट्रांजिस्टर $(\alpha = 0.99)$ के साथ डिज़ाइन किया गया है। इनपुट इम्पीडेंस $1 \ k\Omega$ है और लोड प्रतिरोध $10 \ k\Omega$ है। वोल्टेज गेन क्या होगा?

एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर में, उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों का $95 \%$ कलेक्टर तक पहुँचता है। यदि बेस करंट $2 \text{ mA}$ है, तो कलेक्टर करंट क्या है ($\text{ mA}$ में)?

एक ट्रांजिस्टर (उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास) में पावर गेन और वोल्टेज गेन का अनुपात क्या है? ($\alpha$ और $\beta$ धारा अनुपात हैं)

यदि उत्सर्जक धारा (emitter current) में $4\, mA$ का परिवर्तन होता है,तो संग्राहक धारा (collector current) में $3.5\, mA$ का परिवर्तन होता है। $\beta$ का मान क्या होगा?