જ્યારે $p-n$ જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય ત્યારે,

નીચે આપેલા વિધાનો $A$ અને $B$ ને ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$A:$ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ વધે છે.
$B:$ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ફોરબિડન ગેપની બરાબર મધ્યમાં હોય છે.

જો ડાયોડમાં ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ વધારવામાં આવે,તો ડેપ્લેશન સ્તરની જાડાઈ .......

$p-n$ જંકશનનો બેરિયર પોટેન્શિયલ નીચેનામાંથી કોના પર આધાર રાખે છે:
$(1)$ સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલનો પ્રકાર
$(2)$ ડોપિંગનું પ્રમાણ
$(3)$ તાપમાન
નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

આપેલ પરિપથમાં,બે આદર્શ ડાયોડ વિરુદ્ધ દિશામાં સમાંતર જોડેલા છે. પરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ $I$ કેટલો હશે ($A$ માં)?

$PN$ જંકશન ડાયોડમાં રિવર્સ બાયસિંગ