જ્યારે ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5V_0$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે. તો ધાતુની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

બે સમાન ફોટોકેથોડ $n_1$ અને $n_2$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ મેળવે છે. જો $m$ દળ ધરાવતા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો વેગ અનુક્રમે $V_1$ અને $V_2$ હોય, તો ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક)

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન-$I$: આકૃતિ બે પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થો $M_1$ અને $M_2$ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ નો આવૃત્તિ $(v)$ સાથેનો ફેરફાર દર્શાવે છે. ઢાળ $\frac{h}{e}$ નું મૂલ્ય આપે છે,જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $e$ એ ઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર છે.
વિધાન-$II$: સમાન આવૃત્તિ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે $M_2$ વધુ ગતિ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$280 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશનો ઉપયોગ લિથિયમ કેથોડ સાથે કરવામાં આવે છે,જેનું વર્ક ફંક્શન $\phi = 2.5 \, eV$ છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ($V$ માં) શોધો.
$(h = 6.63 \times 10^{-34} \, J \cdot s, c = 3 \times 10^8 \, m/s)$

જ્યારે ${\lambda _1}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત સૌથી ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v_1 \ m/s$ છે. જો ${\lambda _2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન તે જ ધાતુ પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત સૌથી ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v_2 \ m/s$ છે. $v_2^2 - v_1^2$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

જો $\lambda_1$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ કોઈ ધાતુ પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $E_1$ છે. જો પ્રકાશની તરંગલંબાઈ બદલાઈને $\lambda_2$ થાય,તો ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $E_2$ થાય છે. તો ધાતુનું કાર્યવિધેય (work function) કેટલું હશે?