जब प्रकाश का एकवर्णी बिंदु स्रोत एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.2\, m$ की दूरी पर होता है,तो कट-ऑफ वोल्टेज और संतृप्ति धारा (saturation current) क्रमशः $0.6\, V$ और $18.0\, mA$ होती है। यदि उसी स्रोत को फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.6\, m$ दूर रखा जाए,तो

  • A
    स्टॉपिंग पोटेंशियल $0.2\, V$ होगा
  • B
    स्टॉपिंग पोटेंशियल $0.6\, V$ होगा
  • C
    संतृप्ति धारा $0.6\, mA$ होगी
  • D
    संतृप्ति धारा $2.0\, mA$ होगी

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कथन $(A) :-$ धातु की सतह पर आपतित एकवर्णी प्रकाश पुंज द्वारा उत्पन्न फोटोइलेक्ट्रॉन की गतिज ऊर्जा में प्रसार (spread) होता है।
कारण $(R) :-$ धातु का कार्य फलन (work function) सतह से गहराई के फलन के रूप में बदलता है।

एक धातु के लिए देहली आवृत्ति (threshold frequency) $15 \times 10^{14} \,Hz$ है। $6000 \text{ Å}$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश धातु की सतह पर गिरता है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है? [प्रकाश का वेग, $c = 3 \times 10^{8} \,m/s$]

प्रकाश-विद्युत प्रभाव (photoelectric effect) में,प्रकाश-धारा (photocurrent):

निम्नलिखित ग्राफ एक धातु की सतह के लिए एनोड विभव के साथ फोटोकरंट के परिवर्तन को दर्शाता है। यहाँ $I_{1}, I_{2}$ और $I_{3}$ तीव्रताएँ हैं और $\gamma_{1}, \gamma_{2}, \gamma_{3}$ क्रमशः वक्र $1, 2$ और $3$ के लिए आवृत्तियाँ हैं,तो

प्रकाश-विद्युत प्रभाव (Photoelectric effect) क्या है?

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