જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $50 \, cm$ ના અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V_0$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને સેલથી $1 \, m$ ના અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

જ્યારે આપાત વિકિરણની ઉર્જામાં $20\%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઉર્જા $0.5\, eV$ થી વધીને $0.8\, eV$ થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય ............. $eV$ છે.

ફોટો ઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,આપાત થતાં ફોટોનની આવૃત્તિ અને ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા વચ્ચેનો આલેખ દોરવામાં આવ્યો છે. આ વક્રનો ઢાળ ....... હશે.

જ્યારે એક ધાતુ પર એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $1.2 \ eV$ છે. જો પ્રકાશની આવૃત્તિમાં $50 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $3.6 \ eV$ થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) શોધો.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \, V$ છે. જો તે જ સપાટીને અગાઉની તરંગલંબાઈ કરતા બમણી તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \, V$ થાય છે. ધાતુની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $... \lambda$ છે.

$1.24 eV$ કાર્ય વિધેય ધરાવતી લક્ષ્ય સામગ્રી પર $4.36 \times 10^{-7} m$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($eV$ માં)?