जब प्रकाश का एक बिंदु स्रोत एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $50 \, cm$ की दूरी पर होता है,तो कट-ऑफ वोल्टेज $V_0$ पाया जाता है। यदि उसी स्रोत को सेल से $1 \, m$ की दूरी पर रखा जाए,तो कट-ऑफ वोल्टेज होगा

  • A
    $V_0 / 4$
  • B
    $V_0 / 2$
  • C
    $V_0$
  • D
    $2 V_0$

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एक फोटोसेल में आपतित तरंगदैर्ध्य $\lambda$ है। उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन की अधिकतम गति $u$ है। यदि आपतित तरंगदैर्ध्य को बदलकर $3\lambda / 4$ कर दिया जाए,तो उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन की अधिकतम गति क्या होगी?

Difficult
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आइंस्टीन का प्रकाश-विद्युत समीकरण $E_k = hf - \phi_0$ है। इस समीकरण में $E_k$ ........... को दर्शाता है।

नीचे दो कथन दिए गए हैं: एक को अभिकथन $A$ और दूसरे को कारण $R$ के रूप में लेबल किया गया है।
अभिकथन $A$ : यदि आपतित विकिरण की ऊर्जा धातु के कार्य फलन (work function) से कम है,तो प्रकाश-विद्युत प्रभाव (photoelectric effect) नहीं होता है।
कारण $R$ : यदि आपतित विकिरण की ऊर्जा धातु के कार्य फलन के बराबर है,तो प्रकाश-इलेक्ट्रॉनों की गतिज ऊर्जा शून्य होती है।
उपरोक्त कथनों के आलोक में,नीचे दिए गए विकल्पों में से सबसे उपयुक्त उत्तर चुनें।

एक निश्चित धातु में प्रकाश-विद्युत प्रभाव उत्पन्न करने वाली विकिरण की अधिकतम तरंगदैर्ध्य $200 \ nm$ है। $100 \ nm$ तरंगदैर्ध्य के विकिरण के कारण इलेक्ट्रॉन द्वारा प्राप्त अधिकतम गतिज ऊर्जा .............. $eV$ होगी।

यदि एक फोटोसेल को $1240 \, Å$ के विकिरण से प्रकाशित किया जाता है, तो निरोधी विभव (stopping potential) $8 \, V$ पाया जाता है; तो उत्सर्जक का कार्य फलन (work function) और देहली तरंगदैर्ध्य (threshold wavelength) ज्ञात कीजिए।

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