જ્યારે અર્ધવાહકમાં થોડી માત્રામાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા:

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા અનુક્રમે $8 \times 10^{18} \, m^{-3}$ અને $5 \times 10^{18} \, m^{-3}$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $2.3 \, m^2/V \cdot s$ અને $0.01 \, m^2/V \cdot s$ હોય,તો સેમિકન્ડક્ટર કયા પ્રકારનું છે?

ધારો કે શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ અણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1 \text{ ppm}$ સાંદ્રતા ધરાવતા પંચસંયોજક $As$ વડે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ગણો. $(n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3})$

બહિર્ગત અર્ધવાહકમાં હોલ અને ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અનુક્રમે ${N_p}$ અને ${N_e}$ છે. તો:

જર્મેનિયમ $(Ge)$ માં એલ્યુમિનિયમ $(Al)$ ની અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સ્વીકારનાર અણુઓનું સંકેન્દ્રણ $N_A \cong 10^{21} \text{ atoms/m}^3$ હોય અને આંતરિક વાહક સંકેન્દ્રણ $n_i = 10^{19} \text{ m}^{-3}$ હોય,તો ઈલેક્ટ્રોનનું સંકેન્દ્રણ કેટલું હશે?

જ્યારે $Ge$ સ્ફટિકોમાં ફોસ્ફરસ પરમાણુઓનું ડોપિંગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે શું બને છે?