जब एक अर्धचालक का तापमान बढ़ता है,तब:

कमरे के तापमान पर आंतरिक सिलिकॉन के एक क्रिस्टल में वाहक सांद्रता $1.6 \times 10^{16} / m^3$ है। यदि दाता सांद्रता स्तर $4.8 \times 10^{20} / m^3$ है, तो अर्धचालक में होल्स की सांद्रता क्या होगी?

होल (Holes) किसमें आवेश वाहक होते हैं?

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉनों $(n_e)$ और होल्स $(n_h)$ की सांद्रता समान है और यह $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। यदि इंडियम के साथ डोपिंग के बाद होल्स की सांद्रता $(n_h)$ बढ़कर $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाती है,तो डोप्ड $Si$ में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता $(n_e)$ की गणना करें।

एक शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल में $301 \ K$ पर इलेक्ट्रॉन-होल सांद्रता $10^{16} \ m^{-3}$ है। अब,प्रति घन मीटर $10^{21}$ फास्फोरस परमाणु मिलाए जाते हैं। सिलिकॉन में नई होल सांद्रता (प्रति $m^3$ में) क्या है?

अर्धचालक में एक धनात्मक होल (positive hole) क्या है?