कमरे के तापमान पर आंतरिक सिलिकॉन के एक क्रिस् | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(D) दिया गया है:आंतरिक वाहक सांद्रता $n_i = 1.6 	imes 10^{16} / m^3$दाता सांद्रता $N_D = 4.8 	imes 10^{20} / m^3$$n$-प्रकार के अर्धचालक में, इलेक्ट्

Vedclass · Accepted Answer

$5.3 	imes 10^{11} / m^3$

Vedclass · Answer

(D) दिया गया है:आंतरिक वाहक सांद्रता $n_i = 1.6 	imes 10^{16} / m^3$दाता सांद्रता $N_D = 4.8 	imes 10^{20} / m^3$$n$-प्रकार के अर्धचालक में, इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_e \approx N_D = 4.8 	imes 10^{20} / m^3$ होती है।अर्धचालकों के लिए द्रव्यमान क्रिया के नियम (law of mass action) के अनुसार, $n_i^2 = n_e 	imes n_h$, जहाँ $n_h$ होल सांद्रता है।मान रखने पर:$(1.6 	imes 10^{16})^2 = (4.8 	imes 10^{20}) 	imes n_h$$2.56 	imes 10^{32} = 4.8 	imes 10^{20} 	imes n_h$$n_h = \frac{2.56 	imes 10^{32}}{4.8 	imes 10^{20}}$$n_h = 0.533 	imes 10^{12} / m^3 = 5.33 	imes 10^{11} / m^3$.अतः, होल्स की सांद्रता लगभग $5.3 	imes 10^{11} / m^3$ है।

Similar Questions

$n$-प्रकार और $p$-प्रकार के अर्धचालक को शुद्ध सिलिकॉन में क्रमशः किनके अपमिश्रण (doping) द्वारा प्राप्त किया जा सकता है?

$p$-प्रकार और $n$-प्रकार के अर्धचालकों में बहुसंख्यक आवेश वाहक (majority charge carriers) क्रमशः क्या हैं?

जब एक अर्धचालक (semiconductor) को दाता अशुद्धि (donor impurity) के साथ डोप किया जाता है,

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module