निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

  • A
    शुद्ध $Ge$ में त्रिसंयोजी (trivalent) अशुद्धि मिलाने से $n$-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है।
  • B
    शुद्ध $Ge$ की प्रतिरोधकता तापमान के साथ बढ़ती है।
  • C
    $p$-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक वाहक (majority carriers) होल होते हैं।
  • D
    शुद्ध $Ge$ में पंचसंयोजी (pentavalent) अशुद्धि मिलाने से इसकी प्रतिरोधकता बढ़ जाती है।

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जब एक $n$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,

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