जब एक जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है, | vedclass

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Question

(D) फॉरवर्ड बायसिंग में, बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-साइड से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-साइड से जुड़ा होता है। यह विन्यास बहुसंख्यक आवेश वाहकों ($p$-क्षे

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$n$-साइड पर इलेक्ट्रॉन और $p$-साइड पर होल जंक्शन से दूर जाएंगे।

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(D) फॉरवर्ड बायसिंग में, बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-साइड से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-साइड से जुड़ा होता है। यह विन्यास बहुसंख्यक आवेश वाहकों ($p$-क्षेत्र में होल और $n$-क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन) को जंक्शन की ओर धकेलता है। परिणामस्वरूप, अवक्षय परत की चौड़ाई कम हो जाती है और विभव प्राचीर (potential barrier) कम हो जाता है। इसलिए, यह कथन कि इलेक्ट्रॉन और होल जंक्शन से दूर जाते हैं, गलत है।

जब एक जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है, तो निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?

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$P-N$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाने से

यदि अनंत रिवर्स बायस प्रतिरोध वाला एक डायोड चित्र में दिखाए गए परिपथ में जुड़ा है,तो $I_1$ और $I_2$ क्रमशः क्या होंगे?

$P-N$ जंक्शन में,जब धारा का मान बढ़ता है,तो संपर्क विभव (contact potential) ..........

दी गई परिपथ में $V_{AB}$ का मान ज्ञात कीजिए।

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