નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?
- Aતાપમાનમાં વધારો થતાં આંતરિક (intrinsic) અર્ધવાહકોનો અવરોધ ઘટે છે.
- Bશુદ્ધ $Si$ માં ટ્રાયવેલેન્ટ અશુદ્ધિઓ ઉમેરવાથી $P-$પ્રકારના અર્ધવાહકો મળે છે.
- C$N-$પ્રકારના અર્ધવાહકોમાં મેજોરિટી કેરિયર્સ હોલ્સ (holes) હોય છે.
- D$PN-$જંકશન સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડ તરીકે કાર્ય કરી શકે છે.
Explore More
Similar Questions
જો $n_{e}$ અને $n_{h}$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય,તો ઉષ્મીય સંતુલનમાં આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $(n_i)$ કેટલી થાય?
$P-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર ત્યારે બને છે જ્યારે:
Easy
View Solution$Ge$ ના નમૂનામાં $Al$ ઉમેરવામાં આવે છે. એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સાંદ્રતા $10^{21} \text{ atoms}/m^3$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની આંતરિક સાંદ્રતા $10^{19} /m^3$ હોય, તો નમૂનામાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?
$n$-ટાઈપ સિલિકોનમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?
$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં:
Vedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo