$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

  • A
    दाता स्तर चालन बैंड (conduction band) के निचले हिस्से के ठीक नीचे स्थित होता है।
  • B
    दाता स्तर संयोजी बैंड (valence band) के शीर्ष के ठीक ऊपर स्थित होता है।
  • C
    दाता स्तर वर्जित ऊर्जा अंतराल (forbidden energy gap) के मध्य में स्थित होता है।
  • D
    उपरोक्त में से कोई नहीं।

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$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

यदि एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता और होल्स की सांद्रता का अनुपात $\frac{7}{5}$ है और धाराओं का अनुपात $\frac{7}{4}$ है,तो उनके अपवाह वेग (drift velocities) का अनुपात क्या है?

एक आंतरिक अर्धचालक में,चालन इलेक्ट्रॉनों का घनत्व $7.07 \times 10^{15} \, m^{-3}$ है। जब इसे इंडियम के साथ डोप किया जाता है,तो होल्स का घनत्व $5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ हो जाता है। डोप किए गए अर्धचालक में चालन इलेक्ट्रॉनों का घनत्व ज्ञात कीजिए।

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल की चालकता क्या होगी? प्रति $cm^3$ इलेक्ट्रॉन-होल जोड़ों की संख्या $1.072 \times 10^{10}$ है। दिया गया है: $\mu_n = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ और $\mu_p = 480 \ cm^2/V \cdot s$.

Difficult
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एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक के लिए,जहाँ $n_{h}$ और $n_{e}$ क्रमशः प्रति इकाई आयतन में होल्स की संख्या और प्रति इकाई आयतन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या हैं,निम्नलिखित में से कौन सा संबंध सत्य है?

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