એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $(\lambda / 3)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $4$ ગણી હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશની ઝડપ)

  • A
    $\frac{hc}{\lambda}$
  • B
    $\frac{hc}{2 \lambda}$
  • C
    $\frac{hc}{3 \lambda}$
  • D
    $\frac{3 hc}{\lambda}$

Explore More

Similar Questions

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: n$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\lambda /2$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $3$ ગણી હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?
$(h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશની ઝડપ $)$

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.27 eV$ છે. $600 nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશથી ઉત્તેજિત સીઝિયમ કેથોડમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનું કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલું હશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ અને પ્રકાશની તીવ્રતા $L$ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણપુંજ સોડિયમની શુદ્ધ સપાટી પર આપાત થાય છે. જો $N$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય અને દરેકની ગતિઊર્જા $E$ હોય,તો

જ્યારે આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $500 \,nm$ થી બદલીને બીજી તરંગલંબાઈ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જામાં $0.52 eV$ નો વધારો થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo