જ્યારે આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $500 \,nm$ થી બદલીને બીજી તરંગલંબાઈ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જામાં $0.52 eV$ નો વધારો થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,જો આપણે એકવર્ણી પ્રકાશનો ઉપયોગ કરીએ,તો $I - V$ વક્ર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. જો ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2 \, eV$ હોય,તો વપરાયેલ પ્રકાશનો પાવર $W$ માં અંદાજો.
(ધારો કે ફોટો-ઉત્સર્જનની કાર્યક્ષમતા $= 10^{-3} \%$,એટલે કે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા એ ધાતુ પર આપાત થતા ફોટોનની સંખ્યાના $10^{-3} \%$ છે.)

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવા માટે કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3 \lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{4}$ છે. જો ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $n \lambda$ હોય,તો $n$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

ટંગસ્ટનમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ છે. $0.9 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત કરવા માટે કઈ તરંગલંબાઈના પ્રકાશનો ઉપયોગ કરવો જોઈએ? .............. $nm$.

$\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટો-સેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે અને $E$ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો ગતિઊર્જા વધારીને $2E$ કરવી હોય,તો તરંગલંબાઈ બદલીને $\lambda'$ કરવી પડે,જ્યાં

એક ફોટો-સંવેદી ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $hv_0$ છે. જો $2hv_0$ ઊર્જાનો ફોટોન આ સપાટી પર આપાત થાય,ત્યારે ઈલેક્ટ્રોન $4 \times 10^6 \, m/s$ ના મહત્તમ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. જ્યારે આપાત ફોટોનની ઊર્જા વધારીને $5hv_0$ કરવામાં આવે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?