ટંગસ્ટનમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ છે. $0.9 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત કરવા માટે કઈ તરંગલંબાઈના પ્રકાશનો ઉપયોગ કરવો જોઈએ? .............. $nm$.

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોનની ઊર્જા $2 \ eV$ છે. જ્યારે તે ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v$ છે. જો $\lambda$ નું મૂલ્ય $25\%$ ઘટાડવામાં આવે અને મહત્તમ વેગ બમણો કરવામાં આવે,તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ...... $eV$ થાય.

જો ફોટોસેલથી $0.2 \ m$ અંતરે રાખેલા ઉદ્ગમ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ $0.6 \ V$ હોય,તો તે જ ઉદ્ગમને $0.6 \ m$ અંતરે રાખતા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ થશે.

જ્યારે $4900 Å$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર પડે છે, ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે $2 \,V$ ના નેગેટિવ પોટેન્શિયલની જરૂર પડે છે. તો, ધાતુનું વર્ક-ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)? (આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.602 \times 10^{-19} C$ અને પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.625 \times 10^{-34} Js$)

જ્યારે ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા પ્રકાશની આવૃત્તિ $f$ હોય ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $V$ છે. જ્યારે આવૃત્તિ $4f$ થાય ત્યારે મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.14 \ eV$ છે. શોધો:
$(a)$ સીઝિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ,અને
$(b)$ જો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.60 \ V$ દ્વારા ફોટોકરન્ટ શૂન્ય કરવામાં આવે,તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ.