$E$ ઊર્જા ધરાવતો એક ફોટોન $W_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. જો આ ઈલેક્ટ્રોન $B$ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં ક્ષેત્રને લંબ દિશામાં દાખલ થાય અને $r$ ત્રિજ્યાનો વર્તુળાકાર માર્ગ બનાવે,તો ત્રિજ્યાનું સૂત્ર શું હશે?

બે અલગ કરેલા એકરંગી પ્રકાશ પુંજો $A$ અને $B$ જેમની તીવ્રતા સમાન છે,જેમને ધાત્વીય પૃષ્ઠ પર એકમ ક્ષેત્રફળ દીઠ લંબ રીતે આપાત કરવામાં આવે છે. તેમની તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $\lambda_A$ અને $\lambda_B$ છે. આપાત પ્રકાશ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરવા માટે સક્ષમ છે. પુંજ $A$ અને $B$ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

$4.13 eV$ નો $UV$ પ્રકાશ $3.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($eV$ માં)?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં,ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ માટે,ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $50 \%$ નો ઘટાડો કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રારંભિક મહત્તમ ગતિઊર્જા કરતા $3$ ગણી થાય છે. પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) શોધો ($h$ - પ્લાન્કનો અચળાંક,$c$ - શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ).

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $200 \, nm$ થી બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે કેટલો હશે ($ \, V$ માં)? [$hc = 1240 \, eV \cdot nm$ નો ઉપયોગ કરો, જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે].