તરંગલંબાઈ $\lambda$ અને તીવ્રતા $I$ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર પડે છે. જો $N$ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય,જે દરેકની ગતિઊર્જા $E$ હોય,તો:

જો કોઈ ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $\phi$ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ હોય,તો ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન ક્યારે નહીં થાય?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ વિરુદ્ધ તરંગલંબાઈનો વ્યસ્ત $(1/\lambda)$ નો આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. જેમ આપાત વિકિરણની તીવ્રતા વધારવામાં આવે તેમ:

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં પ્રકાશના બિંદુવત ઉદગમનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. જો ઉદગમને ઉત્સર્જક ધાતુથી દૂર લઈ જવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

પ્રકાશના એક મોનોક્રોમેટિક બિંદુવત ઉદગમને ધાતુની સપાટીથી $d$ અંતરે મૂકવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન પ્રતિ સેકન્ડ $n$ ના દરે ઉત્સર્જિત થાય છે અને તેમની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E$ છે. જો ઉદગમને નજીક લાવીને $d / 2$ અંતરે રાખવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો ઉત્સર્જન દર અને મહત્તમ ગતિઊર્જા લગભગ કેટલી થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દોરવામાં આવે છે. ($h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $\phi_0$ એ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન છે)
$(A)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ રેખીય છે.
$(B)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ આલેખનો ઢાળ $= \frac{\phi_0}{h}$ છે.
$(C)$ પ્લાન્કનો અચળાંક $h$ એ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ રેખાના ઢાળ સાથે સંબંધિત છે.
$(D)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ આલેખનો ઉપયોગ કરીને $h$ નક્કી કરવા માટે ઈલેક્ટ્રોનના વિદ્યુતભારના મૂલ્યની જરૂર નથી.
$(E)$ $h$ નું મૂલ્ય જાણ્યા વિના વર્ક ફંક્શનનો અંદાજ લગાવી શકાય છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો: