એક સેમિકન્ડક્ટરનો ટુકડો વિદ્યુત પરિપથમાં શ્રેણીમાં જોડાયેલ છે. તાપમાન વધારતા,પરિપથમાં વિદ્યુતપ્રવાહ

જર્મેનિયમ $(Ge)$ માટે બેન્ડ ગેપ ઊર્જા કેટલી છે?

વિધાન $(A)$: જ્યારે એલ્યુમિનિયમનો તાર અને સિલિકોનનો બીજો તાર ઓરડાના તાપમાનથી $80^{\circ} C$ સુધી ગરમ કરવામાં આવે છે,ત્યારે એલ્યુમિનિયમની વાહકતા ઘટે છે અને સિલિકોનની વાહકતા વધે છે.
કારણ $(R)$: એલ્યુમિનિયમનો અવરોધકતાનો તાપમાન ગુણાંક ધન હોય છે અને સિલિકોનનો અવરોધકતાનો તાપમાન ગુણાંક ઋણ હોય છે.

જર્મેનિયમ અને સિલિકોનમાં બેન્ડ ગેપ $eV$ માં અનુક્રમે કેટલો છે?

$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરના બેન્ડ સ્ટ્રક્ચરમાં, અશુદ્ધિ પરમાણુઓ દ્વારા દાન કરવામાં આવેલા મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન કયા ઉર્જા સ્તરોમાં હોય છે?

જો કોઈ પદાર્થમાં વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેનો બેન્ડગેપ $5.0 \ eV$ હોય, તો તે પદાર્થ છે