એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $4 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^3$ છે. તેને $1 \text{ ppm}$ એન્ટિમનીની સાંદ્રતા સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે. ઉપલબ્ધ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા કેટલી હશે?

નીચેનામાંથી કયું અકાર્બનિક સંયોજન સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) છે?

સિલિકોનમાં અશુદ્ધિ તરીકે નીચેનામાંથી શું ઉમેરવાથી $n-$પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર બને છે?

નીચેની બેન્ડ-એનર્જી આકૃતિ શું દર્શાવે છે?

$p$-પ્રકાર અને $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ અનુક્રમે કયા છે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર ઊર્જાસ્તર $E_A$ એ વેલેન્સ બૅન્ડની ઉપર $57 \, meV$ અંતરે આવેલું છે। હોલનું નિર્માણ કરવા માટે જરૂરી મહત્તમ તરંગલંબાઈ ....... $\mathring{A}$ છે। (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \, s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)