$6 \,km \,s^{-1}$ ના વેગ ધરાવતા આયનોને પસંદ કરવા માટે એક વેલોસિટી સિલેક્ટર બનાવવાનું છે. જો વપરાયેલ વિદ્યુતક્ષેત્ર $400 \,V \,m^{-1}$ હોય, તો વપરાયેલ ચુંબકીય ક્ષેત્ર કેટલું હશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન બીમ બે સમાંતર પ્લેટો વચ્ચે ગતિ કરી રહ્યો છે,જેની વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $1.125 \times 10^{-6} \, N/C$ છે. $3 \times 10^{-10} \, T$ નું ચુંબકીય ક્ષેત્ર પણ એવી રીતે લાગુ કરવામાં આવે છે કે જેથી ઇલેક્ટ્રોનનો બીમ વિચલિત ન થાય. ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ ............ $m/s$ છે.

ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં ગતિ કરતા વિદ્યુતભારિત કણ પર લાગતા ચુંબકીય બળની લાક્ષણિકતાઓ જણાવો.

જો કોઈ વિદ્યુતભાર ચુંબકીય ક્ષેત્રને સમાંતર અથવા પ્રતિ-સમાંતર ગતિ કરતો હોય,તો તેના પર લાગતું ચુંબકીય બળ કેટલું હશે?

થોમસનના પ્રયોગમાં,જો ફોટોગ્રાફિક પ્લેટ પર અથડાતા તમામ ધન આયનો માટે $q/m$ નું મૂલ્ય સમાન હોય,તો ટ્રેસ (પથ) કેવો હશે?

$100 \; V$ ના પોટેન્શિયલ પર તેના કલેક્ટર સાથેની એક ઇલેક્ટ્રોન ગન ઓછા દબાણ $(\sim 10^{-2} \; mm$ of $Hg)$ વાળા હાઇડ્રોજન વાયુ ધરાવતા ગોળાકાર બલ્બમાં ઇલેક્ટ્રોન છોડે છે. $2.83 \times 10^{-4} \; T$ નું ચુંબકીય ક્ષેત્ર ઇલેક્ટ્રોનના માર્ગને $12.0 \; cm$ ત્રિજ્યાની વર્તુળાકાર કક્ષામાં વાળે છે. (આ માર્ગ જોઈ શકાય છે કારણ કે માર્ગમાં રહેલા વાયુના આયનો ઇલેક્ટ્રોનને આકર્ષીને બીમને કેન્દ્રિત કરે છે અને ઇલેક્ટ્રોન કેપ્ચર દ્વારા પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે છે; આ પદ્ધતિને 'ફાઇન બીમ ટ્યુબ' પદ્ધતિ તરીકે ઓળખવામાં આવે છે.) આપેલ ડેટા પરથી $e/m$ શોધો.