$3 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक पदार्थ का उपयोग करके एक $CCD$ कैमरा बनाया गया है। यह जिस प्रकाश की तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है,वह लगभग है ($nm$ में)

एक फोटोडिटेक्टर को $E_g = 0.73 \, eV$ बैंड गैप वाले अर्धचालक से बनाया गया है। यह अधिकतम कितनी तरंगदैर्ध्य ($nm$ में) का पता लगा सकता है?

एक लाइट एमिटिंग डायोड $(LED)$ में $2\,V$ का वोल्टेज ड्रॉप होता है और जब यह $6\,V$ की बैटरी के साथ एक लिमिटिंग रेजिस्टर $R$ के माध्यम से संचालित होता है,तो इसमें से $10\,mA$ की धारा प्रवाहित होती है। $R$ का मान ......... $k\,\Omega$ है।

प्रकाश उत्सर्जक डायोड $(LED)$ का योजनाबद्ध प्रतीक है:

निम्नलिखित में से कौन सा प्रतीक फोटोडायोड को दर्शाता है?

यदि एक अर्धचालक फोटोडायोड $400\, nm$ की अधिकतम तरंगदैर्ध्य वाले फोटॉन का पता लगा सकता है, तो इसकी बैंड गैप ऊर्जा क्या होगी ($ eV$ में)? (दिया गया है: प्लांक नियतांक $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)