$P$-प्रकार के अर्धचालक में,ग्राही (Acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ कहाँ स्थित होते हैं?

दाता अशुद्धि के साथ डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का होता है?

एक जर्मेनियम क्रिस्टल प्लेट के फलकों पर $2.5 \,V$ का विभवांतर लगाया जाता है। क्रिस्टल का क्षेत्रफल $1 \,cm^2$ है और इसकी मोटाई $1.0 \,mm$ है। जर्मेनियम में मुक्त इलेक्ट्रॉन सांद्रता $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ है और इलेक्ट्रॉन तथा होल की गतिशीलता क्रमशः $0.33 \,m^2/V \cdot s$ और $0.17 \,m^2/V \cdot s$ है। प्लेट से प्रवाहित धारा .......... $A$ होगी।

शुद्ध सिलिकॉन के एक नमूने में $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ फास्फोरस मिलाया जाता है। यदि सभी दाता परमाणु सक्रिय हैं और इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता $1200 \text{ cm}^2/\text{V}\cdot\text{s}$ है, तो $20^\circ\text{C}$ पर प्रतिरोधकता $\Omega\cdot\text{cm}$ में क्या होगी?

यदि एक अर्धचालक की आंतरिक वाहक सांद्रता $1.41 \times 10^{16} \, m^{-3}$ है,और इसे $10^{21} \, m^{-3}$ फास्फोरस के साथ डोप किया जाता है,तो कमरे के तापमान पर होल्स की सांद्रता क्या होगी?

शुद्ध सिलिकॉन के एक नमूने में $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ फास्फोरस मिलाया जाता है। यदि सभी दाता (donor) परमाणु सक्रिय हैं,तो $20 ^oC$ पर प्रतिरोधकता (resistivity) क्या होगी यदि इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता $1200 \text{ cm}^2/\text{V} \cdot \text{s}$ है? ($\Omega \cdot \text{cm}$ में)