मान लीजिए कि एक $P-N$ जंक्शन में अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $10^{-6} \ m$ है और अवक्षय अवरोध (depletion barrier) का मान $0.1 \ V$ है,तो विद्युत क्षेत्र ....... $V \ m^{-1}$ है।

एक $p-n$ जंक्शन में, अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $5 \times 10^5 \ V/m$ का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) होने के लिए एक चालन इलेक्ट्रॉन की न्यूनतम गतिज ऊर्जा $3.2 \times 10^{-20} \ J$ पाई जाती है। अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है,

दिए गए परिपथ में $10\, \Omega$ के प्रतिरोधक से होकर बहने वाली धारा $I$ .......$mA$ है।

सिलिकॉन $P-N$ जंक्शन में फॉरवर्ड और रिवर्स बायस में आवेश वाहकों (charge carriers) की गति के लिए प्रमुख तंत्र क्या हैं?

निम्नलिखित परिपथों में,कौन सा डायोड रिवर्स बायस (reverse biased) है?

$p-n$ जंक्शन को कब और क्यों फॉरवर्ड बायस कहा जाता है? इस बायस के अंतर्गत होने वाले परिवर्तनों का वर्णन कीजिए।