एक $p-n$ जंक्शन में, अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $5 \times 10^5 \ V/m$ का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) होने के लिए एक चालन इलेक्ट्रॉन की न्यूनतम गतिज ऊर्जा $3.2 \times 10^{-20} \ J$ पाई जाती है। अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है,

  • A
    $2 \times 10^{-4} \ cm$
  • B
    $8 \times 10^{-5} \ cm$
  • C
    $5 \times 10^{-6} \ cm$
  • D
    $4 \times 10^{-5} \ cm$

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जब एक सिलिकॉन $PN$ जंक्शन श्रेणी प्रतिरोध के साथ फॉरवर्ड बायस स्थिति में होता है,तो इसका नी वोल्टेज (knee voltage) $0.6\, V$ होता है। जब $PN$ जंक्शन को $2.6\, V$ की बैटरी से जोड़ा जाता है,तो इसमें प्रवाहित होने वाली धारा $5\, mA$ होती है। श्रेणी प्रतिरोध का मान.....$\Omega$ है।

निम्नलिखित में से कौन सा चित्र फॉरवर्ड बायस डायोड को दर्शाता है?

एक अर्धचालक $X$ को जर्मेनियम क्रिस्टल में इंडियम $(Z = 49)$ मिलाकर बनाया जाता है। दूसरा अर्धचालक $Y$ जर्मेनियम क्रिस्टल में आर्सेनिक $(Z = 33)$ मिलाकर बनाया जाता है। दोनों को सिरे से जोड़कर चित्रानुसार बैटरी से जोड़ा गया है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

जब एक $p-n$ जंक्शन पर वोल्टेज $V$ लगाया जाता है, तो उससे प्रवाहित धारा $I = I_0 \left( e^{\frac{V}{2 V_T}} - 1 \right)$ द्वारा दी जाती है, जहाँ $I_0$ और $V_T$ स्थिरांक हैं। यदि $r_d(I)$ जंक्शन का डायनेमिक प्रतिरोध है, तो $r_d(1000 I_0) = \alpha r_d(10 I_0)$, जहाँ $\alpha$ लगभग किसके बराबर है?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $2 \times 10^5 \ V/m$ परिमाण का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $-3e$ आवेश वाला एक कण $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) हो सकता है, यदि उसके पास न्यूनतम गतिज ऊर्जा $0.6 \ eV$ हो। $p-n$ जंक्शन के अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है: ($nm$ में)

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