એક ઉત્સર્જક સપાટી પર આપાત થતા એકરંગી પ્રકાશની આવૃત્તિ $f$ છે. જો સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $f_0$ હોય,તો ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ....... છે.

$4.25 \, eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A \, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70 \, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_B = (T_A - 1.50) \, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો:

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$2.48 eV$ ઉર્જા ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.5 V$ માપવામાં આવ્યું હતું. ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)?

$1\, cm$ ત્રિજ્યા અને $4.47\, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા તાંબાના ગોળા પર $2500\, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ વિકિરણો આપાત કરવામાં આવે છે. આ વિકિરણની અસરને કારણે ગોળામાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે. આથી ગોળો વીજભારિત થાય છે અને તેના પર એક નિશ્ચિત પોટેન્શિયલ ઉદભવે છે. ગોળા પરનો વીજભાર શોધો:

$1.8 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ધરાવતા પ્રકાશના કિરણો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $eV$ માં કેટલું હશે?

$1.6 \times 10^7 \ m/s$ ના વેગથી ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઈ $0.4 \ \mathring{A}$ છે. ઇલેક્ટ્રોનની ગતિ માટે જરૂરી પ્રવેગક વોલ્ટેજ કેટલો હશે? (ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$,ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \ kg$)