$200 \ nm$ ની તરંગલંબાઈ ધરાવતો અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ લોખંડની તાજી પૉલિશ કરેલી સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટીનું વર્કફંકશન $4.71 \ eV$ છે. તો સ્ટૉપિંગ પોટૅન્શિયલ $eV$ માં કેટલું થશે? $(h = 6.626 \times 10^{-34} \ Js, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J, c = 3 \times 10^8 \ m/s)$

જ્યારે પ્રકાશ સંવેદી સપાટી પર પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સપાટી પરથી ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે. આ ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા શેના પર આધાર રાખતી નથી?

એક ચોક્કસ ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $3.31 \times 10^{-19} \,J$ છે। $5000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{ eV}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.62 \times 10^{-34} \,J \cdot s$,$c = 3 \times 10^8 \,m/s$,$e = 1.6 \times 10^{-19} \,C$)

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.27 eV$ છે. $600 nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશથી ઉત્તેજિત સીઝિયમ કેથોડમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનું કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલું હશે?

જો ફોટોસેલમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $4 \times 10^8 \, cm/s$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ................ $V$ થશે (ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \, kg$).

એક ધાતુની સપાટીને વારાફરતી $E_{1} = 4 \ eV$ અને $E_{2} = 2.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર $2$ છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $eV$ માં કેટલું હશે?