$LCR$ શ્રેણી પરિપથમાં $C = 2 \mu F$,$L = 1 \ mH$ અને $R = 10 \ \Omega$ છે. જ્યારે પરિપથમાં પ્રવાહ મહત્તમ હોય,ત્યારે કેપેસિટર અને ઇન્ડકટરમાં સંગ્રહિત ઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$R=6 \Omega$ નો અવરોધ,$L=1 \text{ H}$ નું ઇન્ડક્ટર અને $C=17.36 \mu \text{F}$ નો કેપેસિટર એક $AC$ સ્ત્રોત સાથે શ્રેણીમાં જોડાયેલા છે. $Q$ ફેક્ટર શોધો.

$C = 2 \mu F$,$L = 1 \ mH$ અને $R = 10 \ \Omega$ ધરાવતા શ્રેણી $LCR$ સર્કિટમાં,જ્યારે સર્કિટમાં પ્રવાહ મહત્તમ હોય,ત્યારે કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જા અને ઇન્ડક્ટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$X_L = R$ ધરાવતા શ્રેણી $LR$ પરિપથમાં પાવર ફેક્ટર $P_1$ છે. જો $X_C = X_L$ ધરાવતો $C$ કેપેસિટન્સવાળો કેપેસિટર પરિપથમાં ઉમેરવામાં આવે, તો પાવર ફેક્ટર $P_2$ બને છે. $P_1$ અને $P_2$ નો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

$0.2 \, V$ નું એક અલ્ટરનેટિંગ e.m.f. $R=4 \, \Omega$, $C=80 \, \mu F$ અને $L=200 \, mH$ ધરાવતા $LCR$ શ્રેણી પરિપથ પર લાગુ કરવામાં આવે છે. અનુનાદ (resonance) સમયે ઇન્ડક્ટર પરનો વોલ્ટેજ ડ્રોપ કેટલો હશે ($V$ માં)?

$L-C-R$ શ્રેણી $AC$ પરિપથ માટે બેન્ડવિડ્થનું સમીકરણ મેળવો અને $Q$ ફેક્ટરનું સમીકરણ તારવો.