ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર દ્વારા,આઈન્સ્ટાઈને શું સાબિત કર્યું?

જ્યારે પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

જ્યારે $300 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર પડે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મુક્ત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે,$600 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બંને ઉત્સર્જકોના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર શું છે?

નીચેનામાંથી કયો આલેખ આપાત વિકિરણની તીવ્રતા $(I)$ સાથે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E)$ ના સાચા ફેરફારને દર્શાવે છે?

$0.6 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર $2 \ eV$ ઊર્જાવાળો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)?

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: n$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?