નીચેનામાંથી કયો આલેખ આપાત વિકિરણની તીવ્રતા $(I)$ સાથે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E)$ ના સાચા ફેરફારને દર્શાવે છે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણો ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જો તે જ સપાટીને બમણી તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણોથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ થાય છે. તો આ સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

$E$ ઊર્જા ધરાવતો પ્રકાશ $\frac{E}{3}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $K$ કેટલી હશે?

એક ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $f_0$ છે. જ્યારે $2f_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_1$ છે. જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારીને $5f_0$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_2$ છે. $v_1$ અને $v_2$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

જ્યારે $hv$ ઊર્જાનો ફોટોન એલ્યુમિનિયમની પ્લેટ (કાર્ય વિધેય $E_0$) પર આપાત થાય છે,ત્યારે મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $K$ ધરાવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જ્યારે $2hv$ ઊર્જાનો ફોટોન તે જ એલ્યુમિનિયમની પ્લેટ પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $2500 \ \mathring A$ અને $5000 \ \mathring A$ હોય અને ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $2 \ eV$ હોય,તો ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનો અંદાજીત ગુણોત્તર શોધો. ($:1$ માં)