જ્યારે $300 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર પડે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મુક્ત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે,$600 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બંને ઉત્સર્જકોના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર શું છે?

$\phi_0$ વર્ક-ફંક્શન ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થ પર $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે (જ્યાં $\lambda < \frac{hc}{\phi_0}$). સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_d$ છે. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈમાં $\Delta \lambda$ જેટલો ફેરફાર થવાથી $\lambda_d$ માં $\Delta \lambda_d$ જેટલો ફેરફાર થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{\Delta \lambda_d}{\Delta \lambda}$ કોના સમપ્રમાણમાં છે?

$4v_0$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $v_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

જ્યારે $300 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે $600 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બે ઉત્સર્જકોના કાર્ય વિધેય (work function) નો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$5000 \, Å$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશની તીવ્રતા $I$ માટે, ફોટોઈલેક્ટ્રોન સંતૃપ્ત પ્રવાહ $0.40 \, μA$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.36 \, V$ છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ........... $eV$ છે.

$10.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોનનો બીમ એક ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1.6 \times 10^6 \ m \ s^{-1}$ ના મહત્તમ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)? (ઈલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \ kg$ અને ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$ લો).