$4v_0$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $v_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

આપેલ આલેખમાં બે અલગ-અલગ ધાતુઓ '$P$' અને '$Q$' માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વિરુદ્ધ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_{s})$ નો આલેખ દર્શાવેલ છે. જો $\phi_{P}$ અને $\phi_{Q}$ એ અનુક્રમે '$P$' અને '$Q$' ધાતુઓના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) હોય,તો નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ ને $Y-$ અક્ષ પર અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ ને $X-$ અક્ષ પર આલેખવામાં આવે છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સીધી રેખા મળે છે. પ્લાન્કનો અચળાંક $h$ શેના દ્વારા મળે છે?

એક ધાતુની સપાટીને વારાફરતી $E_{1} = 4 \ eV$ અને $E_{2} = 2.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર $2$ છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $eV$ માં કેટલું હશે?

$6.4 \times 10^{-5} \; W/cm^{2}$ તીવ્રતા ધરાવતા વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણના કિરણપુંજની તરંગલંબાઈ $\lambda = 310 \; nm$ છે. તે $1 \; cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ધાતુની સપાટી (વર્ક ફંક્શન $\varphi = 2 \; eV$) પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. જો દર $10^{3}$ ફોટોન દીઠ એક ફોટોન ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતું હોય, તો $1 \; s$ માં ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા $10^{x}$ છે. તો $x$ નું મૂલ્ય શોધો. $(hc = 1240 \; eV \cdot nm, 1 \; eV = 1.6 \times 10^{-19} \; J)$

કોઈ બિંદુએ વિદ્યુતક્ષેત્રનું તરંગ સમીકરણ $E = 100 \frac{V}{m} [\sin(7 \omega t) + \cos(10 \omega t) + \cos(15 \omega t)]$ છે. જો ફોટોસેલનું કાર્ય વિધેય $\phi$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?