નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો $:$
$A.$ સોલર સેલનો જંકશન વિસ્તાર ફોટોડાયોડની સરખામણીમાં ખૂબ મોટો રાખવામાં આવે છે.
$B.$ સોલર સેલ કોઈ પણ બાહ્ય બાયસ સાથે જોડાયેલા હોતા નથી.
$C.$ $\text{LED}$ એ હેવીલી ડોપ્ડ (વધારે અશુદ્ધિ ઉમેરેલા) $p-n$ જંકશનથી બનેલી હોય છે.
$D.$ ફોરવર્ડ કરંટમાં વધારો થવાથી $\text{LED}$ ની પ્રકાશ તીવ્રતામાં સતત વધારો થાય છે.
$E.$ પ્રકાશના ઉત્સર્જન માટે $\text{LED}$ ને ફોરવર્ડ બાયસમાં જોડવી આવશ્યક છે.
કયા વિધાનો સાચા છે?

  • A
    માત્ર $B, D, E$
  • B
    માત્ર $A, C$
  • C
    માત્ર $A, C, E$
  • D
    માત્ર $B, E$

Explore More

Similar Questions

$LED$ દ્રશ્યમાન પ્રકાશના વિસ્તારમાં પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરી શકે તે માટે,તેનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ કઈ રેન્જમાં હોવો જોઈએ?

ફોટોડાયોડ માટે અલગ-અલગ પ્રકાશની તીવ્રતા $I_1, I_2, I_3$ અને $I_4$ માટે $I-V$ લાક્ષણિકતાઓ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. તો નીચેનામાંથી કઈ મહત્તમ તીવ્રતા દર્શાવે છે?

વિધાન: $P-N$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે રિવર્સ બાયસમાં કરવામાં આવે છે.
કારણ: રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં,પ્રવાહ ઓછો હોય છે પરંતુ તે આપાત પ્રકાશની તીવ્રતામાં થતા ફેરફારો પ્રત્યે વધુ સંવેદનશીલ હોય છે.

જો એક સેમિકન્ડક્ટર ફોટોડાયોડ $400\, nm$ ની મહત્તમ તરંગલંબાઇ ધરાવતા ફોટોનને શોધી શકતું હોય, તો તેની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા કેટલી હશે ($ eV$ માં)? (આપેલ છે: પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, પ્રકાશની ઝડપ $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)

જ્યારે $2480 \; nm$ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણ અર્ધવાહક પર આપાત થાય છે,ત્યારે તેની વિદ્યુત વાહકતા વધે છે. અર્ધવાહક માટે બેન્ડ ગેપ $eV$ માં કેટલો હશે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo