$p-n$ जंक्शन में विसरण (डिफ्यूजन) धारा का परिमाण अपवाह (ड्रिफ्ट) धारा से अधिक होता है जब:

एक अर्धचालक $X$ को जर्मेनियम क्रिस्टल में आर्सेनिक $(Z=33)$ मिलाकर बनाया जाता है। दूसरा अर्धचालक $Y$ जर्मेनियम में इंडियम $(Z=49)$ मिलाकर बनाया जाता है। दोनों को एक-दूसरे से जोड़कर चित्रानुसार बैटरी से जोड़ा गया है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

$p-n$ जंक्शन के लिए,विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $1 \times 10^{6} \text{ V/m}$ है और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $5000 \text{ Å}$ है। विभव प्राचीर (potential barrier) का मान $\dots \text{ V}$ है।

दिए गए परिपथ में सिलिकॉन डायोड के लिए अमीटर का पाठ्यांक ....... $mA$ है।

दो एमीटर $A_1$ और $A_2$ को दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार जोड़ा गया है। एमीटर के आंतरिक प्रतिरोध की उपेक्षा करते हुए, मीटर $A_1$ में रीडिंग क्या है ($\text{A}$ में)?

निम्नलिखित वाक्यों में से कौन सा कथन गलत है? एक उपकरण जिसमें $P$ और $N$-प्रकार के अर्धचालकों का उपयोग किया जाता है,वह वैक्यूम ट्यूब की तुलना में अधिक उपयोगी है क्योंकि: