दिए गए परिपथ में $V_{AB}$ ज्ञात कीजिए।

चित्र में अग्र अभिनति (forward bias) में एक $p-n$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषताएँ दिखाई गई हैं। क्रमशः $2 \; V$ और $4 \; V$ के अग्र अभिनति वोल्टेज के अनुरूप गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) का अनुपात क्या है?

निम्नलिखित परिपथ में जंक्शन डायोड को अपने $I-V$ अभिलक्षणिक वक्र के नी पॉइंट $(0.7 \, V)$ से ऊपर रहने के लिए न्यूनतम $1 \, mA$ धारा की आवश्यकता होती है। नी पॉइंट से ऊपर डायोड के सिरों पर वोल्टेज धारा से स्वतंत्र है। यदि $V_B = 5 \, V$ है,तो $R$ का अधिकतम मान क्या होगा ताकि वोल्टेज नी पॉइंट से ऊपर रहे?

एक अर्धचालक (semiconductor) प्रबल विद्युत धारा के कारण क्षतिग्रस्त हो जाता है,इसका कारण है:

जब एक $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो यह

निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?