ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલ માટે,આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_o)$ ના ફેરફારને દર્શાવતો આલેખ નીચેનામાંથી કયો છે?

એક ધાતુનું કાર્ય-વિધેય (work-function) $1 eV$ છે. $3000 \text{Å}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર દર્શાવતી આકૃતિ પરથી આપણે યોગ્ય રીતે શું અનુમાન લગાવી શકીએ?

ધારો કે $v_1$ અને $v_2$ એ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ છે જ્યારે ધાતુની સપાટીને અનુક્રમે $E_1 = 4 \text{ eV}$ અને $E_2 = 2.5 \text{ eV}$ ઊર્જા ધરાવતા પ્રકાશના તરંગો વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2 \text{ eV}$ હોય,તો ગુણોત્તર $\frac{v_1}{v_2}$ કેટલો થાય?

$W_{0}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર જ્યારે '$E$' ઊર્જાના ફોટોન આપાત થાય છે ત્યારે તે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. ઇલેક્ટ્રોન લંબ દિશામાં સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર '$B$' માં પ્રવેશ કરે છે અને '$r$' ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગ પર ગતિ કરે છે. તો '$r$' બરાબર શું થાય? (જ્યાં '$m$' અને '$e$' અનુક્રમે ઇલેક્ટ્રોનનું દળ અને વિદ્યુતભાર છે).

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.3 \text{ eV}$ છે અને જ્યારે તેના પર ફોટોન આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $0.3 \text{ eV}$ છે. આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ $\mathring A$ માં શોધો.