एक संकुल (complex) के इलेक्ट्रॉनिक विन्यास के | vedclass

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Question

(C) संयोजकता आबंध सिद्धांत $(VBT)$ धातु कक्षकों के संकरण पर विचार करके उपसहसंयोजक संकुलों में बंधन की व्याख्या करता है।
एक संकुल में सही इलेक्ट्रॉनिक

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चुंबकीय आघूर्ण

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(C) संयोजकता आबंध सिद्धांत $(VBT)$ धातु कक्षकों के संकरण पर विचार करके उपसहसंयोजक संकुलों में बंधन की व्याख्या करता है।
एक संकुल में सही इलेक्ट्रॉनिक विन्यास और अयुग्मित इलेक्ट्रॉनों की संख्या निर्धारित करने के लिए,$magnetic \ moment$ (चुंबकीय आघूर्ण) का मापन आवश्यक है।
$magnetic \ moment$ $(\mu)$ की गणना स्पिन-ओनली सूत्र $\mu = \sqrt{n(n+2)} \ BM$ का उपयोग करके की जाती है,जहाँ $n$ अयुग्मित इलेक्ट्रॉनों की संख्या है।
प्रायोगिक $magnetic \ moment$ की तुलना सैद्धांतिक मानों से करके,कोई भी उच्च-स्पिन या निम्न-स्पिन संकुलों की उपस्थिति और केंद्रीय धातु आयन की संकरण अवस्था की पुष्टि कर सकता है।

List-$I$ (संकुल)	List-$II$ (स्पिन-मात्र चुंबकीय आघूर्ण $B$.$M$. में)
$A$. $[Cr(NH_3)_6]^{3+}$	$I$. $4.90$
$B$. $[NiCl_4]^{2-}$	$II$. $3.87$
$C$. $[CoF_6]^{3-}$	$III$. $0.0$
$D$. $[Ni(CN)_4]^{2-}$	$IV$. $2.83$

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