સ્ફટિકમાં એનર્જી બેન્ડ (ઉર્જા પટ્ટી),વેલેન્સ બેન્ડ (સંયોજકતા પટ્ટી) અને કન્ડક્શન બેન્ડ (વાહકતા પટ્ટી) ની સમજૂતી આપો.

(N/A) કેટલાક ઘન પદાર્થો સ્ફટિકમય બંધારણ ધરાવે છે,જેનો અર્થ છે કે તેમાં પરમાણુઓ અથવા અણુઓની વ્યવસ્થિત ગોઠવણી હોય છે.
જ્યારે પરમાણુઓ એકબીજાની નજીક ગોઠવાય છે,ત્યારે તેઓ પાડોશી પરમાણુઓ સાથે આંતરક્રિયા કરે છે,જેના પરિણામે ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા સપાટીઓમાં ફેરફાર થાય છે.
આંતરિક કક્ષાના ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા સપાટીઓ પર ખાસ અસર થતી નથી,પરંતુ બાહ્ય કક્ષાના ઇલેક્ટ્રોન (વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન) ની ઉર્જા સપાટીઓ બદલાય છે કારણ કે આ ઇલેક્ટ્રોન સ્ફટિકમાં એક કરતા વધુ પરમાણુઓ દ્વારા વહેંચાયેલા હોય છે.
અલગ પડેલા પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા સપાટીઓ વચ્ચે મોટું અંતર હોય છે,પરંતુ સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન પાસે ખૂબ નજીક ગોઠવાયેલી ઉર્જા સપાટીઓ હોય છે. આવી નજીકની ઉર્જા સપાટીઓના સમૂહને એનર્જી બેન્ડ કહેવામાં આવે છે.
જે એનર્જી બેન્ડમાં વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા સપાટીઓનો સમાવેશ થાય છે તેને વેલેન્સ બેન્ડ કહેવામાં આવે છે.
વેલેન્સ બેન્ડની ઉપરના એનર્જી બેન્ડને કન્ડક્શન બેન્ડ કહેવામાં આવે છે.
સામાન્ય રીતે,વેલેન્સ બેન્ડમાં વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે,જ્યારે $0 \ K$ તાપમાને કન્ડક્શન બેન્ડ ખાલી હોય છે.
કન્ડક્શન બેન્ડ અને વેલેન્સ બેન્ડ વચ્ચે થોડો ગાળો હોય છે. આ ખાલી જગ્યાના ઉર્જા તફાવતને બેન્ડ ગેપ એનર્જી $(E_{g})$ કહેવામાં આવે છે.
ધાતુઓ (વાહકો) માં,કન્ડક્શન બેન્ડ અને વેલેન્સ બેન્ડ એકબીજા પર ઓવરલેપ થાય છે,જેથી ઇલેક્ટ્રોન સરળતાથી ગતિ કરી શકે છે.
અવાહકોમાં,બેન્ડ ગેપ ખૂબ મોટો હોય છે,એટલે કે વેલેન્સ બેન્ડના ઇલેક્ટ્રોન બંધાયેલા રહે છે અને કન્ડક્શન બેન્ડમાં કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન ઉપલબ્ધ હોતા નથી.
અર્ધવાહકોમાં,બેન્ડ ગેપ પ્રમાણમાં નાનો હોય છે. જો વેલેન્સ બેન્ડના ઇલેક્ટ્રોન બેન્ડ ગેપને ઓળંગવા માટે પૂરતી બાહ્ય ઉર્જા મેળવે,તો તેઓ કન્ડક્શન બેન્ડમાં જાય છે,જેનાથી વિદ્યુત વહન શક્ય બને છે.