નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $(A)$ તરીકે અને બીજાને કારણ $(R)$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $(A) :$ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરમાં ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન ફોટો-ઉત્સર્જક પદાર્થને પૂરતો ઋણ વિદ્યુત સ્થિતિમાન આપીને અટકાવી શકાય છે.
કારણ $(R) :$ ઋણ વિદ્યુત સ્થિતિમાન, જે ફોટો-ઉત્સર્જક પદાર્થની સપાટી પરથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવે છે, તે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

  • A
    $(A)$ ખોટું છે પણ $(R)$ સાચું છે.
  • B
    $(A)$ સાચું છે પણ $(R)$ ખોટું છે.
  • C
    $(A)$ અને $(R)$ બંને સાચા છે અને $(R)$ એ $(A)$ ની સાચી સમજૂતી છે.
  • D
    $(A)$ અને $(R)$ બંને સાચા છે પણ $(R)$ એ $(A)$ ની સાચી સમજૂતી નથી.

Explore More

Similar Questions

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના અવલોકનોના સંદર્ભમાં,નીચે આપેલા વિધાનોમાંથી સાચા વિધાનો ઓળખો:
$A.$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો વર્ગ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
$B.$ પ્રકાશના સ્ત્રોતને ધાતુની સપાટીથી દૂર લઈ જવાથી સેચ્યુરેશન પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$C.$ $LED$ (લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ) પ્રકાશ સ્ત્રોતની પાવર ઘટાડવાથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ઘટે છે.
$D.$ ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ત્વરિત ઉત્સર્જન પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના કણ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
$E.$ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું અસ્તિત્વ પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના તરંગ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

પ્રકાશના કયા સિદ્ધાંત દ્વારા ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક અસર સમજાવી શકાય છે?

જ્યારે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા બમણી આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_{1}$ છે. જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ થ્રેશોલ્ડ મૂલ્ય કરતા પાંચ ગણી કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_{2}$ બને છે. જો $v_{2} = x v_{1}$ હોય,તો $x$ નું મૂલ્ય........... થશે.

$400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી તરંગોનું વિકિરણ $Zn$,$Fe$ અને $Ni$ ધાતુઓની સપાટી પર આપાત થાય છે,જેમના કાર્ય વિધેય (work functions) અનુક્રમે $3.4 \ eV$,$4.8 \ eV$ અને $5.9 \ eV$ છે. ($hc = 1242 \ eV \ nm$ લો)
$(a)$ કોઈપણ ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE)$ $0.3 \ eV$ છે.
$(b)$ $Ni$ ની સપાટીમાંથી કોઈ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થતા નથી.
$(c)$ જો વિકિરણ સ્ત્રોતની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની $KE$ પણ બમણી થઈ જાય છે.
$(d)$ જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ કરતા ઓછી હોય,તો ત્રણેય ધાતુઓની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થશે.
સાચા વિધાનો છે:

એક ચોક્કસ ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $3.31 \times 10^{-19} \,J$ છે। $5000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{ eV}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.62 \times 10^{-34} \,J \cdot s$,$c = 3 \times 10^8 \,m/s$,$e = 1.6 \times 10^{-19} \,C$)

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo