જો ${n_e}$ અને ${n_h}$ એ ફોસ્ફરસ સાથે ભારે ડોપિંગ કરેલા સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા હોય,તો

બહિર્ગત અર્ધવાહકમાં હોલ અને ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અનુક્રમે ${N_p}$ અને ${N_e}$ છે. તો:

અર્ધવાહકમાંથી વહેતો વિદ્યુત પ્રવાહ કોના ડ્રિફ્ટ (ડ્રિફ્ટ) ને કારણે હોય છે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે? $p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને શેના વડે ડોપ કરવામાં આવે છે?

સિલિકોનમાં અશુદ્ધિ તરીકે નીચેનામાંથી શું ઉમેરવાથી $n-$પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર બને છે?

શુદ્ધ સિલિકોનમાં, એકમ કદ દીઠ ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા $1.6 \times 10^{16} \,m^{-3}$ છે. જો સિલિકોનમાં બોરોનનું ડોપિંગ એવી રીતે કરવામાં આવે કે જેથી હોલની ઘનતા વધીને $4 \times 10^{22} \,m^{-3}$ થાય, તો ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા કેટલી હશે?