જો કેપેસિટરની સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક બમણો કરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ:

$C$ અને $3C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને સમાંતર જોડવામાં આવે છે અને $18V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને $K=9$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. કેપેસિટરના આ સંયોજન પરનો અંતિમ વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V^{\prime}$ હશે. $V^{\prime}$ શોધો. ($V$ માં)

એક અલગ કરેલા ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ રાશિ સમાન રહેશે?

$1 \,m$ બાજુવાળી બે ચોરસ આકારની ધાતુની પ્લેટો, જે હવામાં $0.01 \,m$ અંતરે રાખેલી છે, તે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવે છે. તેને $500 \,V$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. ત્યારબાદ કેપેસિટરની પ્લેટોને $0.001 \,m/s$ ની ઝડપે ઊભી રીતે નીચે ઉતારીને ઇન્સ્યુલેટીંગ ઓઇલમાં ડૂબાડવામાં આવે છે. જો ઓઇલનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $11$ હોય, તો આ પ્રક્રિયા દરમિયાન બેટરીમાંથી ખેંચાતો પ્રવાહ કેટલો હશે?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરને $V \, \text{volt}$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે,બેટરીને જોડેલી રાખીને તેમાં $\epsilon_r$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,તો:

કોઈ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ વગર અને $0.4 \, cm$ ના અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \, \mu F$ છે. જો અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તેમાં $2.8$ મૂલ્યનો ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટરની અંતિમ કેપેસિટન્સ .......$\mu F$ થશે.