જો સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને ડાયઇલેક્ટ્રિકનું ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક બમણું કરવામાં આવે,તો તેની કેપેસિટી (કેપેસિટન્સ) કેટલી થશે?

એક ચાર્જ્ડ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $5 \ cm$ છે અને પ્લેટોની અંદરનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $200 \ V/cm$ છે. $2 \ cm$ પહોળાઈનો એક અનચાર્જ્ડ મેટલ બાર કેપેસિટરમાં સંપૂર્ણપણે ડૂબાડવામાં આવે છે. મેટલ બારની લંબાઈ કેપેસિટરની પ્લેટ જેટલી જ છે. બારને ડૂબાડ્યા પછી કેપેસિટરનો વોલ્ટેજ......$V$ થશે.

$C$ ફેરાડે કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટના emf ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડાયેલ રાખીને,$K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબના પરિમાણો એવા છે કે તે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરી દે છે. તો $:-$

કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે વિદ્યુતક્ષેત્રમાં થતો ફેરફાર આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. જો $2x = y$ હોય,તો $K_1$,$K_2$ અને $K_3$ વચ્ચેનો સંબંધ શોધો.

$2 \,mm$ જાડાઈ અને $36 \pi \,mm^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક ધાતુની પ્લેટને $6 \,mm$ પ્લેટ અંતર અને $36 \pi \,cm^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે છે. ધાતુની પ્લેટ એક પ્લેટથી $3 \,mm$ ના અંતરે છે. આ ગોઠવણીનું કેપેસિટન્સ કેટલું છે ($\,pF$ માં)? (ધારો કે $\frac{1}{4 \pi \varepsilon_0} = 9 \times 10^9 \,N m^2 C^{-2}$)

જ્યારે કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલું રહે અને પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,ત્યારે: