$300\, K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન $(n_i = 10^{16}/m^3)$ સ્ફટિકમાં,દર ઘન મીટર દીઠ $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. તો નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી થશે?

જર્મેનિયમમાં એલ્યુમિનિયમની સાંદ્રતા $\sim 10^{21} \text{ atoms}/m^3$ છે. શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $\sim 10^{19} /m^3$ છે. અશુદ્ધિ ઉમેર્યા પછી,ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી,હોલની સાંદ્રતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ $Si$ માં નવી ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરના ચાર્જ વિશે કયું વિધાન સાચું છે?

નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?

જર્મેનિયમ સ્ફટિકને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવા માટે ઉમેરવામાં આવતી અશુદ્ધિની સંયોજકતા કેટલી હોય છે?